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581.
n阶变系数线性微分方程组的可解情形 总被引:1,自引:0,他引:1
本讨论了n阶变系数线性微分方程在变量代换下可化为解方程组的问题,把[1]的二阶情形推广至n阶情形,且例举了三阶情形。 相似文献
582.
本文讨论了 n阶变系数线性微分方程在变量代换下可化为可解方程组的问题 ,把文 [1 ]的二阶情形推广至 n阶情形 ,且例举了三阶情形 . 相似文献
583.
584.
585.
利用基于电化学跳跃接触的扫描隧道显微镜裂结法(ECSTM-BJ), 通过现场形成金属电极, 对以Cu和Ag为电极的对苯二甲酸单分子结电导进行了测量. 研究结果表明: 利用该方法对所有数据直接线性统计即可得到很好结果; 两种电极下都存在两套高和低电导值, 其中以Cu为电极的单分子结电导高低值分别为11.5和4.0 nS, 而以Ag为电极的单分子结电导分别为10.3和3.8 nS, 高值都约为低值的3倍, 且以Cu为电极的单分子结电导要略大于以Ag为电极的电导, 可归结于电极和分子的耦合不同造成的. 与同样条件下测量得到的烷基链羧酸单分子结电导只存在一套值相比,对苯二甲酸表现出两套电导值, 反应了分子内主链对分子结电导的影响. 相似文献
586.
两种不同形状压头与单晶铜基体间接触力和摩擦力的纳观分析 总被引:2,自引:1,他引:1
在考虑单晶铜基体弹塑性形变和晶体各向异性情况下,基于原子尺度,采用混合势函数(EAM和Morse)和Verlet算法动态模拟了半球形和圆锥形两种不同形状压头与单晶铜基体的黏着接触和滑动摩擦过程,分析了接触力和摩擦力对单晶铜基体内失效原子变化情况.研究表明:当压头下压位移为0.9 nm时,由于半球形压头比圆锥形压头底部表面积大,导致半球形压头与基体之间的引力更大而更易产生黏着接触现象.在下压接触过程中,与半球形压头相接触的基体内出现位错原子长大成位错环,而与圆锥形压头相接触的基体未出现此位错环现象,但位错原子数均随压深的增加而增多;在滑动过程中,因半球形压头对基体的摩擦力和法向力比圆锥形压头对基体的摩擦力和法向力大,使得半球形压头比圆锥形压头正前方堆积的位错原子数多,但均随滑动距离的增加而增多. 相似文献
587.
结合具体案例探讨了在化学实验教学中进行问题生成性探究的尝试,先进行验证性实验或是根据教材的模仿探究实验,再针对第一次实验中生成的问题尝试重新设计探究性实验,以更好地培养学生探究精神和创新能力。 相似文献
588.
590.